方正证券:IGBT芯片Q4进入稳定量产 首予赛晶科技(00580)“推荐”评级

作者: 文文 2021-10-21 23:04:36
公司IGBT项目总投资52.5亿元,一期投资17.5亿元,规划建设2条IGBT芯片背面工艺生产线、5条IGBT模块封装测试生产线

智通财经APP获悉,方正证券发布研究报告,首次覆盖赛晶科技(00580),给予“推荐”评级。预计公司2021-2023年营业收入分别为11.5/13.5/15.6亿元,归母净利润分别为0.3/1.0/2.2亿元。今年6月份,公司IGBT产线正式竣工,i20芯片进入试生产阶段,预计今年Q4步入稳定量产阶段。

赛晶科技传统业务为电力电子器件制造,主要应用于输配电、电气化交通、工业及其他领域。输配电领域,公司阳极饱和电抗器已应用到国内40多个特高压直流项目中。电气化交通领域,中国中车集团、比亚迪,是赛晶长期的合作伙伴。工业及其他领域应用包括工业电解冶金、化工、采矿等行业的电能应用。

公司2018年开始研发电动汽车用IGBT;2019年启动IGBT研发生产项目,并成立瑞士SwissSEM、浙江赛晶半导体公司;2020年公司发布首款自研产品1200V/250A的i20IGBT芯片和1200V/750A的ED-Type IGBT模块,同时启动生产线建设。公司IGBT应用主要面向电动汽车、新能源发电和工业电控市场,技术研发团队来自国际一流厂商ABB,管理团队也来自英飞凌等行业领先企业。

今年6月份,公司IGBT产线正式竣工,i20芯片进入试生产阶段,预计今年Q4步入稳定量产阶段。公司的i20芯片优于其他国际主流厂商的第4代芯片。同时,公司继续发布下一代车载单面冷却IGBT模块EV-Type模块。新模块包含两个1200V/250A芯片组,电流密度高,但尺寸仅为ED-Type模块的1/3。

IGBT芯片制造环节分为正面工艺和背面工艺,正面工艺比较标准,主要为光刻;背面工艺为特色工艺,包括离子注入、退火和剪包,对IGBT芯片的性能具有决定性作用。公司IGBT项目总投资52.5亿元,一期投资17.5亿元,规划建设2条IGBT芯片背面工艺生产线、5条IGBT模块封装测试生产线,建成后年产能200万件IGBT模块产品,后期公司还将继续完善自己的芯片背面线。

方正证券指出,公司新产品持续研发设计中,未来前景可期。公司基于为沟槽技术的i21代IGBT芯片正在研发设计中,目标达到第七代IGBT的技术水平。此外,公司碳化硅产品布局也正在启动中,第一步聚焦碳化硅模块,预计明年推出第一代产品;第二步更进一步到碳化硅芯片,规划3-4年后推出相关产品。

风险提示:(1)产品研发不及预期;(2)产品市场开拓不及预期;(3)产能紧缺影响出货;(4)估值假设和盈利预测的不可实现性。


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