王者归来?英特尔(INTC.US)公布芯片新技术 或助其延续摩尔定律

英特尔(INTC.US)对外公布了多项新技术,据称可以在未来十年帮助英特尔芯片不断缩小尺寸、提升性能。

智通财经APP获悉,英特尔(INTC.US)对外公布了多项新技术,据称可以在未来十年帮助英特尔芯片不断缩小尺寸、提升性能,其中的一些技术准备将不同芯片进行堆叠处理。

据悉,12月12日,英特尔在IEEE 国际电子设备会议(IEDM) 上通过多篇研究论文公布了三种新技术,从量子物理突破、新封装和晶体管技术三个方向来延续摩尔定律。

其中,英特尔新型3D堆叠、多芯片封装技术Foveros Direct 可以让上下芯片之间的连接点密度提升10倍、而且每个连接点的间距小于10微米。全新的封装方式可以将 NMOS 和 PMOS 堆叠在一起,紧密互联,从而在空间上提高芯片的晶体管密度;这种方式能在不缩小制程的情况下,将晶体管密度提升30%至50%,使摩尔定律重新生效。

过去几年,在制造更小、更快速的芯片方面,英特尔输给了台积电(TSM.US)和三星电子两大对手;如今,英特尔正在千方百计重新赢得芯片制造领域的领导者地位。

此前,Pat Gelsinger担任英特尔信任首席执行官之后,推出一系列在2025年重新赢得优势地位的商业发展规划。而这一次该公司技术团队推出了一系列“技术性武器”,或将帮助英特尔在2025年后一直保持技术优势。

英特尔“组件研究集团”总监兼高级工程师Paul Fischer表示,通过把半导体零组件一个堆叠在另外一个身上,英特尔技术团队可节省芯片空间,“我们正减少芯片内部连接通道的长度,从而节省能耗,这样不仅提高芯片成本效益,更能增强芯片性能。”

智通声明:本内容为作者独立观点,不代表智通财经立场。未经允许不得转载,文中内容仅供参考,不作为实际操作建议,交易风险自担。更多最新最全港美股资讯,请点击下载智通财经App
分享
微信
分享
QQ
分享
微博
收藏
相关阅读