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小米10拉动氮化镓(GaN)概念股 三安光电涨超6%

2020年2月14日 11:34:00

2月13日,小米用纯线上发布会的方式,发布年度高端旗舰手机小米10系列,还发布了一款重要搭档产品:小米GaN充电器Type-C 65W。值得一提的是,该充电器采用氮化镓(GaN)技术,得到资本市场强烈关注。2月14日,相关概念股三安光电(600703.SH)开盘大涨超6%。

氮化镓(GaN)是一种广为看好的新型半导体材料,具有超强的导热效率、耐高温和耐酸碱等优点,用在充电器中更是具有高效率低发热、高功率小体积的优点,充电功率转换也比传统充电器更具优势。

采取该技术的小米GaN充电器,最高支持65W疾速充电,搭配小米10 Pro可实现50W快充。在引起行业内外关注的同时,拉动了供应链上下游产业的活力。

在发布会现场上,雷军多次详细介绍该项技术的先进性。小米10系列以及GaN充电器的发布,刺激并激活了行业信心,得到行业分析师、资方及相关企业关注。相关产业链的工作人员称,这都要感谢雷总。

当天,多家券商电子行业研究人员,紧急组织电话会议,基于这款采用氮化镓(GaN)技术充电器的发布,特邀行业专家,详细解读行业技术趋势和投资机会。

行业人士分析,三安光电、闻泰科技(600745.SH)、富满电子(300671.SZ)等标的受到重点关注。其中,今年2月3日,三安光电还在投资者交流平台上表示,公司目前氮化镓(GaN)产能约2000片每月,产能还在增加。

市场普遍认为,氮化镓(GaN)是未来最具增长潜质的化合物半导体,与GaAs和InP等高频工艺相比,氮化镓(GaN)器件输出的功率更大;与LDCMOS和SiC等功率工艺相比,氮化镓(GaN)的频率特性更好。

同时,市场还预期,随着5G网络应用的日益临近,将从2019年开始为 GaN器件带来巨大的市场机遇。相比现有的硅LDMOS(横向双扩散金属氧化物半导体技术)和GaAs(砷化镓)解决方案,GaN器件能够提供下一代高频电信网络所需要的功率和效能。预计到2025年,GaN还将主导射频功率器件市场,抢占基于硅LDMOS技术的基站PA市场。

采用氮化镓材料后,小米充电器USB-C 65W的体积比小米笔记本标配的适配器缩小了48%,携带更方便,搭配小米10 Pro可提供最高50W充电功率,45分钟即可充入100%。

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