国盛证券：拉姆研究(LRCX.US)利润超出指引高点，3D NAND设备需求扩张

本文来自微信公众号“湘评科技”，作者：国盛电子团队。

一、核心观点

1.公司EPS超过指引高点，营收超过上季度提供的指引中点。2019年6月当季的营收为23.61亿美元，环比下降3.19%，同比下降24.47%，但仍好于因内存芯片供应过剩而下调的预期，主要原因是PC端市场疲软，抵消3D NAND扩张带来的积极影响。当季毛利为10.81亿美元，毛利率为45.8%，环比上升1.75pct。运营费用为4.64亿美元，运营收入为营收的26.1%，摊薄后每股收益为3.51美元。公司实现季度净利润5.42亿美元，同比下降47%，环比下降1%。净利率为22.95%，环比上升0.51pct。每股收益为3.62美元，高于我们6月当季的指导区间，这一增长主要是由毛利率上升和运营费用低于预期推动的。

2.存储业务小幅上升，晶圆代工业务势头强劲。从业务结构上看，存储业务收入占总收入的比例从3月份的61%小幅上升至64%。非易失性存储部分从3月份的第一季度增长了40%到46%，而DRAM从21%下降到18%。存储收益仍然主要用于与制程转换的相关投资，DRAM支出主要用于1y及初始1z投资，NAND主要用于转换到9x层设备。此外，晶圆代工部门的支出状况良好，3月份的季度收入占系统收入的23%，主要集中在5nm和7nm节点上，与上一季度的27%比略有下降，但仍很强劲。逻辑和其他业务与上一季度持平，占系统收入的13%。

3.NAND方面：公司不断投入研发，在3D Scaling的领先能力将随着逻辑设备转移到3nm结构的3D gate,新的存储如PC RAM垂直成本规模和密度提高,以及3D采用异质整合作为高性能系统解决方案的首要包装选择而日益凸显。同时，LAM在NAND半临界流程空间通过不断提升相关生产力获得市场份额，在最近季度中，通过创建一个高效的、单一步骤的蚀刻过程来替代竞争对手的多步骤方法，使其能够在系统吞吐量上进行区分，成为半临界空间的关键决策因素；同时，LAM的电介质蚀刻系统拥有更快的S速率和优越的剖面控制，实现更高的资本生产率和更少的维护频率，为公司增加核心竞争力。

4.长期而言，EUV光刻技术的出现对公司有好处。EUV光刻技术是解决成本效益扩展的一部分，而成本效益扩展是新技术节点所需要的，新节点为LAM创建SAM扩展机会，公司可以更有效地利用蚀刻和沉积赢得新位置。由于EUV多种模式增长速度有限，同时EUV被引入的速度与生产力有很大关系，LAM在利用蚀刻和沉积技术帮助改进方面可以发挥重要作用，可以从整体上提高制版模块的生产效率，公司正与ASML合作为蚀刻和沉积创造新机会，使其成为备受关注的潜力发展领域。

二、经营情况

1. 营收情况（Q4FY2019）

根据美国公认会计准则(GAAP)，LAM2019年6月当季的营收为23.61亿美元，环比下降3.19%，同比下降24.47%，但仍好于因内存芯片供应过剩而下调的预期，主要原因是PC端市场疲软，抵消3D NAND扩张带来的积极影响。当季毛利为10.81亿美元，毛利率为45.8%，环比上升1.75pct。运营费用为4.64亿美元，运营收入为营收的26.1%，摊薄后每股收益为3.51美元。

公司实现季度净利润5.42亿美元，同比下降47%，环比下降1%。净利率为22.95%，环比上升0.51pct。

图表：主营业务收入以及增长率（百万美元）

资料来源：公司公告，国盛证券研究所

图表：毛利及毛利率（百万美元）

资料来源：公司公告，国盛证券研究所

图表：净利及净利率（百万美元）

资料来源：公司公告，国盛证券研究所

2.季度收入结构

- 按地区分，公司季度收入结构为中国（33%）、韩国（25%）、台湾（14%）、美国（11%）、日本（9%）、东南亚（5%）及欧洲（3%）。

图表：季度收入结构（按地区分）

资料来源：公司公告，国盛证券研究所

- 按业务分，存储占比64%，分为NVM（46%）和DRAM（18%），高于上季度的61%；晶圆代工占比23%，低于上季度的27%；逻辑/其他占比13%，与上季度12%基本持平。

图表：季度收入结构（按业务分）

资料来源：公司公告，国盛证券研究所

三、行业回顾

- 2019WFE（晶圆工厂设备）支出将比2018整体下降15%-19%

- 上个季度，晶圆代工支出增量上升，存储支出增量下降，但是5G发展的加速带来对5nm、7nm产品的巨大需求

- 通过向先进节点的制程迁移加强晶圆代工业务

四、先进技术

- LAM领导实现3D Scaling（NAND）

1. 减压：3DNAND层Scaling，采用创新的单步工艺进行背面沉积

2. 异质整合：晶圆代工和逻辑的新架构，用于三维芯片堆垛的电镀系统，赢得领先的逻辑客户

3. RC延时：DRAM内存制造工艺缩小到1z/1a nm，low-k技术

-增强半临界应用程序的生产力

1. OpenMask技术：单步 vs 多步工艺

2. 金属接触技术：拥有更快的蚀刻速度和优越的轮廓控制力

五、业务展望

·长期发展

- 严格履行客户承诺

- 扩展产品和服务组合的差异化

- 优先考虑以创新为重点的3D Scaling投资

·2019年9月季度指引（Q1FY2020）

- 营业收入：20-23亿美元

- 毛利率（Non-GAAP）：44%-45%

- 营业利润率（Non-GAAP）：23.5%-25.5%

- 每股受益（Non-GAAP）：2.8-3.2美元

六、会议纪要

·Tim Archer（CEO）

在6月份的季度，LAM发布了强劲的业绩。营收、毛利率和营业利润率均超过了我们在上次财报电话会议上提供的指引的中点，而每股收益则超过了指引的高端。我们之所以能够取得这些成绩，是因为我们的客户、员工和合作伙伴的支持。我要感谢他们一直以来对Lam的成功所作出的承诺。

鉴于贸易的不确定性和其他因素对市场环境的影响，我想先就LAM谈一些看法。在2019年上半年，我们通过专注于我们所能控制的事情，在高水平上执行。尽管内存市场不景气，但我们已经兑现或超过了我们的承诺。

我们在最近一个季度的运营中又产生了8.8亿美元的现金。与此同时，我们继续把投资重点放在创新和产品差异化上，将总运营支出中研发支出的比例提高到历史上任何一个季度都没有过的水平。我们仍然致力于我们的长期增长载体，服务可用的市场扩张，从基础安装增加市场份额，从而增加收入。现在有具体的事实见证我们在每一个领域取得的进展，我将在后面的发言中讨论这些问题。但首先，让我更新一下我们的行业展望。

我们对WFE支出看法不变，2019年比2018年下降了15%到19%。然而，自上季度电话会议以来，内存支出逐渐减少，而代工支出却在上升，部分原因是5G发展的加速，导致对7纳米和5纳米产品的强劲需求。我们现在认为在下半年晶圆代工和逻辑业务的比重将加权，而不是以上半年的业务比重加权为基准。

在存储方面，随着6月份季度的进展，客户继续采取有意义的行动，恢复供需平衡，减少NAND和DRAM的投资，降低利用率。因此，我们预计NAND和DRAM的位元供应量同比将继续下降，今年的位元供应量增速将远低于长期需求趋势线。

在需求方面，NAND价格下跌导致设备内存容量加速增长，这个早期迹象令我们感到鼓舞。例如，到2019年底，SSD在个人电脑中的普及率预计将达到近60%。但更重要的是，每个驱动器的平均密度也在增长。目前个人电脑市场上主要的SSD配置是256 gb和512 gb，而一年前是128和256 gb。

随着单位和单位存储容量的共同增长，需求的影响被放大。同样，我们也看到NAND和移动设备的委位元容量增长加速，这一点很明显，不仅是在高端手机领域，在中、低端手机领域也是如此，128g的产品与一年前的64g相比增长最快。

我们相信，随着2020年的到来，影响供需的因素将为存储创造一个有利的环境。我们的行动重点是确保Lam处于最佳状态，能够从预期的内存支出复苏中获益。这种关注有助于提高所服务的市场份额，这一点可以从本季度各种应用程序的胜出以及新兴3D架构的路线图中得到证明。

在NAND方面，我们正与客户紧密合作，为潜在的3D Scaling限制因素开发差异化的解决方案。一个很好的例子是随着3D NAND芯片数量逐渐增加到100个甚至更多，压力诱导的晶圆加工挑战越来越大。鉴于Lam在关键的3D NAND蚀刻和沉积应用领域的领导地位，我们采用创新的单步工艺，在3D NAND晶圆背面沉积一层反应力膜的Lam新工具已被介绍给拥有多个重复订单的前沿客户。

重要的是，随着新的3D架构在其他领域的出现，我们通过投资来扩展3D NAND所获得的经验教训将广泛适用。例如,我们相信LAM在3D Scaling的领先能力将随着逻辑设备转移到3nm机构的3D gate,新的存储如PC RAM垂直成本规模和密度提高,以及3d采用异质整合作为高性能系统解决方案的首要选择而日益凸显。

为了实现3D异质整合，一些领先的晶圆代工和逻辑公司已经公布了通过硅通孔进行高密度互连从而连接不同IP块的体系结构。Lam的SABRE 3D电镀和Syndion蚀刻工具提供了一流的技术，多年来在TSV市场的大规模生产处于领先地位。

在这个季度，我们取得了突破，我们的SABRE 3D电镀系统可用于3D芯片堆积应用，这验证了LAM的能力，利用其行业领先地位的3D Scaling取得创新性的制造突破。我们也看到我们的客户在DRAM的投资取得了成功，我们正在与客户合作需要1z和1a节点的关键制程工艺。

例如，当DRAM设备缩小到1z并且超出电阻电容延迟的性能影响时，这就成为一个必须解决的挑战。本季度，我们赢得了多个领先DRAM制造商为1z节点的关键间隔应用，因为我们有能力沉积高度适形low-k膜，帮助减少RC延时。

除了我们在临界应用方面取得的进展之外，您可能还记得我之前谈到过NAND半临界流程空间，随着我们努力获得市场份额，NAND半临界流程空间是Lam日益关注的领域。在最近的一个季度，我们开始抓住这个机会，在多个NAND客户中为掩模开放应用赢得了重要的导体蚀刻胜利。

尤其是，Lam能够创建一个高效的、单一步骤的蚀刻过程来替代我们竞争对手的多步骤方法，这使得我们能够在系统吞吐量上进行区分，这是半临界空间中的一个关键决策因素。另一个例子是在电介质蚀刻，为领先的内存制造商的半临界金属接触应用取得突破性进展。随着3D NAND规模的扩大，周边环境变得更加深入，纵横比也增加了。我们的电介质蚀刻系统显示出更快的S速率和优越的剖面控制，拥有更高的资本生产率和更少频率的维护。

对于客户支持业务，尽管WFE支出下降，但我们仍将2019年视为另一个收入稳步增长的年份。在6月份的季度，我们的Reliance Systems业务实现了连续第二个季度的营收纪录，主要原因是客户纷纷投资，以满足物联网、汽车和电力设备等非领先终端市场的强劲需求。我们专注于前沿技术和安装基础设施的结合得到了客户的认可。在最近一个季度，我们的顶级客户完成了他们的年度供应商评估过程，根据一系列广泛的安装基础设施、成本降低和研发投入指标，我们被列为他们的头号供应商。有了这个最新的评级，我们现在在超过一半的顶级客户中排名第一。

综上所述，短期环境仍然具有挑战性，但对半导体行业和LAM来说，还是有长期增长的机会。我们专注于履行我们的承诺，并扩大我们的产品和服务组合的差异化。我相信，我们将继续优先考虑以客户为中心的投资，这将带来持久的效益。随着内存支出恢复到正常水平，非内存技术越来越依赖3D Scaling来提高性能和降低成本，Lam将处于领先的位置。

- Doug Bettinger，CFO

LAM在6月份的季度表现良好，我们的业绩超过了所有财务指标的指导中点。由于毛利率上升，以及对经营费用的积极管理，每股收益超过了我们提供的指导区间的高端。

我们的每股收益表现证明了我们一直致力于履行我们的承诺。正如蒂姆所指出的，我们预计2019年的WFE支出将比18年低15%-19%。自上次调用以来，我们看到晶圆代工业务出现了一些上行势头，但部分被内存开销的减少抵消了。

从细分市场的角度来看，我们的系统内存业务收入占系统总收入的比例从3月份的61%小幅上升至64%。非易失性内存部分从3月份的第一季度增长了40%到46%，而DRAM从21%下降到18%。内存收益仍然主要用于与制程转换的相关投资，DRAM支出主要用于1y及初始1z投资，NAND主要用于转换到9x层设备。

此外，我们还看到了对128层结构的初步投资。我们继续看到晶圆代工部门的支出状况良好，3月份的季度收入占系统收入的23%，主要集中在5纳米和7纳米节点上，这比上一季度的27%略有下降，尽管仍然很强劲。

逻辑和其他业务与上一季度持平，占系统收入的13%。我们希望在今年余下的时间里继续看到晶圆代工和逻辑领域的增长。值得注意的是，从地区来看，我们33%的收入来自中国地区。其中大部分来自中国本土客户。我们预计，在9月份的季度，中国地区的收入集中度也将高于平均水平。

我们在6月份这个季度的损益表表现很好。营收为23.6亿美元，高于6月财测的中点。该季度毛利率为45.9%，好于预期，主要原因是客户构成和资源利用率提高。另外，正如我们在前几个季度所指出的，我们的实际毛利率是几个因素的函数，如总体业务量、产品组合和客户集中度，预期每个季度会有一些变化。

6月当季营运支出较前季减少至4.5亿美元。我们正以较低的收入水平积极管理支出。不过，我们将继续投资于我们的战略研发项目，并继续专注于我们对技术和生产率领先地位的承诺。研发支出的比例在6月的这个季度增长到了大约66%，这是一个很高的水平。

6月当季营业收入为6.35亿美元，营业利润率为26.9%，处于我们预期区间的高端。6月份的非公认会计准则税率约为11%，略低于我们的长期税率。在2019年余下的时间里，我们预计税率将在低至15%至15%之间。我要提醒你们的是，你们应该预料到利率会在季度与季度之间波动。

6月份的其他收入和开支总额约为600万美元。这包括与我们在第三季度完成的25亿美元优先票据发行相关的整个季度的利息支出。季度利息支出被公司较高现金余额所产生的利息收入部分抵消。我要提醒你们的是，我们所有债务的利息支出总额大约是每个季度4500万美元。我们继续执行我们的资本回报计划在六月的季度。

本季度，我们拨出13亿美元用于资本回报，其中11亿美元用于股票回购，1.65亿美元用于股息支付。我们的股票回购活动来自公开市场和结构性回购的结合，参与的结构性回购计划将在整个12月季度继续执行。

我们在第三季度宣布的50亿美元授权中完成了大约20亿美元。在过去一年半的时间里，我们利用了大约60亿美元的回购资金，将稀释后的股票数量降低了约15%。我相信，这表明我们继续致力于向股东返还有意义的现金。每股收益为3.62美元，高于我们6月当季的指导区间，这一增长主要是由毛利率上升和运营费用低于预期推动的。每股收益稀释后约为1.54亿美元，反映出自年初以来季度股息减少了5%。这一数字包括了约500万股来自2041个可转换债券的摊薄影响，剩余2041名转股者的稀释时间表可在我们的投资者关系网站上查阅。

现在我们来看资产负债表，现金和短期投资，包括限制性现金，从3月份的64亿美元下降到6月份的57亿美元，减少的主要原因是本季度内的资本回收活动被业务产生的8.8亿美元的大量现金所抵消。这是我们连续第二个季度从运营中获得9亿美元现金。DSO下降5天至56天，存货余额减少了8200万美元，库存周转率仍处于行业领先水平，为3.3倍。公司非现金支出包括约4500万美元的权益补偿、4700万美元的折旧和1800万美元的摊销。由于Novellus收购的无形资产已全部摊销，摊销额较上一季度下降了50%。

本季度资本支出为6,600万美元，略低于3月份的7,600万美元。截至6月当季，约有10,700名正式全职员工，较前一季度略有下降。另外，我想提醒您的是，我们使用临时工作为我们运营模式的一部分。去年，我们将这些临时工减少了近40%（600人）。这种灵活性是我们运营模式的关键部分，使我们能够在收入水平下降的时候实现可持续的运营利润。因此，展望未来，我想为2019年9月的季度提供我们的非GAAP指导。我们预计收入21.5亿±1.5亿美元,毛利率为45%±1%,营业利润率为24.5%±1%,最后3美元每股收益,加上或者减去每股0.20美元基于数约1.5亿股。

在结束之前，我想重申一下蒂姆在他的讲稿中分享的一些信息。我们仍然没有看到内存支出的复苏，而内存支出是我们2019年最强劲的市场。不过，我们确实观察到了这些市场的动态，这些都是积极的迹象。这些迹象的一些例子是需求弹性、工厂利用率管理中降低库存的定价趋势。我们发现今年准备接收设备发货的新晶圆厂数量达到两位数，预计明年计划与此类似。因此，我们仍然相信，2020年将比2019年更好。

Q：一个季度前,存储的供应方情况是稳定的,而真正的需求方面仍然是不确定的。PC市场季节性变强，本季度云计算支出将加速增长，甚至一些大型人工智能和深度学习项目也开始启动，客户也在谈论库存开始下降。因此，与3个月或6个月前相比，LAM与客户是否对今年更健康的市场环境前景更有信心?

A：因为你将三、六个月前设定为基准，我需要带你回顾一下，在今年的第一个电话会议上，我们提出了一个观点，那就是存储的消耗在这一整年都不会恢复，但这并不意味着今年我们不会看到进展，包括市场情绪的进展，供给方面的进展，也许还有需求方面的进展。所以我要说的是，NAND方面的需求弹性正在回暖，这是积极迹象。回到6个月前，考虑到NAND对DRAM的修正时间比DRAM早，因此，NAND很可能是我们看到终端需求增长、定价和市场改善的第一个市场。考虑到市场的不确定性，准确地确定何时会发生这种情况是很有挑战性的。所以我们把一个供应增长率估值数量,当NAND供应增长约为30%的时候我们将退出,这大约比LAM认为的长期需求增长低10个点。在那个时候，市场将会紧缩，投资可能会回报，但是很明显确定确切的时间是有挑战性的。我觉得今年在供应改善、需求改善方面的表现非常接近我们的预期，因为有很多变动的部分。但总的来说，就像我说的，方向上，非常像我们年初想的那样。

Q：Tim，你在事先准备的讲稿中谈到了半临界应用的解决措施，我认为你在导体蚀刻中给出了一个例子，你在本季度取得了一些胜利。我只是好奇一般的半临界应用，这部分市场对于蚀刻和沉积的比例有多大意义?你现在的市场份额在哪里?你如何看待未来几年的变化?

我们有机会成长的地方是在半临界竞争中占据位置，决定性的因素是更有生产力,生产力是公司通过长时间的学习和积淀知道如何规划生产,我认为半临界部分由很大的市场空间。因此,我们努力进行调整以确保生产力,为客户提供一流产品,从而使得LAM在半临界部分获得市场份额，今天给出的例子有导线蚀刻空间以及介质蚀刻空间，这可以解释为针对两个不同的竞争对手，我们正在这方面努力取得进展。

Q：我想知道你们怎么看待EUV？在代工和逻辑方面的技术进展有多快或者有多慢?您认为这将如何影响您到2020年的业务?更具体地说，你们的一个客户最近谈到了在他们的DRAM业务的1z纳米节点上插入UV的可能性，您如何看待未来12到18个月的发展，以及这将如何影响您的业务?

A：也许我在开始的时候会给出一个非常清晰的陈述，因为当EUV的问题被问到时，我的理解是，这是否会对Lam的生意产生负面影响，在这一点上，我们认为EUV对Lam有好处，我们的许多客户都认为EUV是解决成本效益扩展的一部分，而成本效益扩展是新技术节点所需要的。

新节点对Lam非常重要，临界应用程序业务是我们业务的核心。当技术从一个节点发展到另一个节点时，就会产生新的关键应用程序，继续赢得下一个正在开发的临界应用是我们增长战略的一部分。当有新节点时，新节点还为Lam创建SAM扩展机会，有了新的材料和新的设备，Lam可以更有效地利用蚀刻和沉积，我们赢得了新的位置。说到负面影响，我们说过的多种模式也在继续增长，即使是EUV，它不会增长多个模式，它不会像EUV不存在时那样增长得那么快，但我们的观点是，这是那些假设的未来之一，很难确切地说，在没有EUV的未来节点上，会产生多少晶圆。所以长期而言——我认为EUV对Lam有好处。

现在我想说的是，EUV被称为一种大技术转型，同时它被引入的速度与生产力有很大关系，我们认为Lam在利用蚀刻和沉积技术帮助改进方面可以发挥重要作用，我们可以从整体上提高制版模块的生产效率。如果我们能做到这一点，那么它就为蚀刻和沉积创造了新的机会，我们正在与ASML就这些机会进行合作，这是我们关注的一个很大的领域。

具体到你的问题，比如逻辑与代工的介绍，我认为我们的观点与业界的共识是一致的。所以我没有太多要说的。关于1z插入的问题，我想你们可能已经知道了。D1z的DRAM通常会使用EUV，这显然不是普遍的共识，我的意思是，在这个节点上，人们至少会和一个客户交谈，就像你说的，把它作为一个学习节点。但我认为除了这一点，没有什么可以补充的了。

Q：根据我们的计算，如果看一下六月份内存市场的出货量，会发现它们比峰值下降了50%左右，但是他们仍然在上升，如果你看看2014年到2016年的平均水平，几乎是50%，这其中资本密集度，SAM的扩张，市场份额的增长都在发生变化。你如何看待当前的消费水平相对于之前的内存消费低谷，当调整资本密集度时，SAM市场份额增长上升?

A：当我回顾今年的内存开销时，它几乎完全分配给了与制程转换相关的投资，这始终是一个具有成本效益的客户基础,降低了单位位元的成本。这是一个维护水平，或者是最低水平，但从经济上来说，客户这样做是有意义的。你对Sam强度的观察，资本强度的上升，所有这些都是绝对有效的，由于架构复杂性的增加，晶圆变得更加昂贵。同时，蚀刻和深度强度方面自上次以来已经发生了巨大的变化。所以，我们的结论是，很明显，供应增长支出不足以满足长期需求增长，但是我们的大部分投资都是围绕技术的。

Q：我想知道您能否给我们一个关于对今年service业务的最新看法，尤其是代替我们从客户那里看到的利用率下降？我知道基础安装业务正在增长，这将给service业务提供一个顺风车，但这还会增长吗?由于你的一个客户本季度停电了，这会对service和shipment业务产生什么样的影响?

A：我仍然预计我们的基础安装业务今年会增长。你的观察完全正确。这项业务将与行业整体利用率有所起伏,我觉得很好理解,我们的一些客户在某种程度上减少内存利用率,包括停电，因此诸如备件的消费在一段时间内会减少。但是这一业务今年仍将增长，它将随着chamber counts的增长而增长，正如我们一直说的，我们的观点是，即使WFE下降了这么多，chamber counts今年仍将增长。因此，该业务在未来几年的发展势头仍然相当不错。

Q：我有两个问题，第一个问题是，我想知道你能不能给我们更新一下你对下半年和上半年出货量的评论。很明显，全年的WFE并没有改变，但是组合发生了一些变化，看起来可能对你有利的因素少了一些。你能否介绍一下下半年和上半年的情况?

A：我们表示今年的WFE支出将会下降15%-19%，在这里面有投入有收获。存储比我们一季度前描述的需求弱一些，而代工业务需求强一些，当我看投资的概况时，也许代工需求会更强一些。存储方面的支出在前半年有所增加，代工和逻辑方面的支出在下半年有所增加。当你把这些都考虑进去的时候，我认为今年WFE的权重会在下半年有所增加。

Q：我说的更多的是你的出货量，因为我认为你对下半年和上半年的出货量收入有指引值，我想知道你能不能更新一下?

A：不，我们从来没有对此给过指引，也许它被误解为WFE。

Q：第二个问题是道格你在一个非常糟糕的内存周期系统上做了12美元的年化，内存减少了一半，系统总出货量下降了，从峰值到40%左右。很明显，这与过去的情况大不相同。所以我的问题是，你如何考虑如何优化资产负债表中的资本结构？你已经买回了大量的股票，但我想知道，在你展望未来几年的时候，你如何看待正确的资产负债表杠杆目标?

A：我还没有就杠杆率或现金总额之类的绩效目标进行沟通，但如果你看看过去几年我们所做的事情，我认为我们倾向于向股东返还有意义的现金。现金产生能力业务继续保持惊人的强劲势头，我们现在已经有大约9亿美元来自运营现金流，因此，我们对维持现金生产能力的信心显然要高得多。

如果你看看净现金这样的指标，这也是为什么我们一直很乐意把它降下来的原因，我们通过增加一点债务来做到这一点，并通过股息和股票回购来消耗现金，同时，过去我们一直向股东返还至少50%的自由现金流。

Q：第一个问题,你说在晶圆代工、逻辑方面,收入主要集中于16、14、10nm节点，相对应的收入份额为多少？由于制程技术迁移到7、5nm,是否有任何方式来量化增量收入？

A：将具体数字撇开,由于我们在10、7、5nm节点上的收入份额增加了，其中一部分原因是蚀刻和沉积的强度增加，另一部分是创造了新的工艺，新应用程序创建了新流程，因此我们对晶圆代工和逻辑方面是有信心的。然而，我们还没有量化它，正如我在EUV的评论中所说，每一次技术转型都是我们获得新应用和市场份额的机会。我们对所取得的进步感到非常满意，但有时会迷失在关于内存和内存开销的重叠故事中，以及内存开销对我们的业务有多大的影响，但我们对逻辑和代工领域的势头感到相当不错。

Q：第二个问题是，有任何关于自我清洁蚀刻产品的更新吗？能分享一些关于Kiyo模块和Corvus的消息吗?

A：我不确定我能和别人分享，除了它在市场上继续进步。我再次谈到了半临界应用程序，在这些应用程序中，客户真正关注的是如何优化现有晶圆厂的生产率。fab生产效率的一个因素是你需要有多少技术人员或人员对工具进行维护，而Kiyo产品——带有Corvus R的产品自我维护工具是答案的一部分。现在显然没有很多支出发生在这一部分,当存储市场支出复苏,他们应该完全针对客户现在想放进新晶圆厂建设的工具类型进行支出。

Q：我有两个问题。第一个是给蒂姆的。我们一直听到的一件事是，当你进入高阶3D NAND的过程代表蚀刻技术不断上升。有没有一种方法可以量化时间（绝对分钟）或相对于之前的制程节点技术推进过程？以及这对LAM意味着什么？

A：我不认为我们要量化它，因为这是一种竞争性的信息，我们不想在这里透露。但需更高阶层的产品需要更长蚀刻时间是众所周知的,增加层数是非线性的,这意味着蚀刻变得更长,由于本身物理和化学腐蚀过程，非线性与层数被创造出来。因此，对于Lam来说，更多的图层对完成蚀刻所需的蚀刻工具的数量有积极的影响。现在我想说的是，这是一场持续的战斗，为了让客户的拥有成本保持合理，我们一直致力于为客户提供每一寸的生产力，包括关键的蚀刻，就像3D整体蚀刻一样。这并不是说它们今天会被量化但对我们来说是一个积极的增长。

Q：首先,我只是想调查一下你的对2020年的评论,你说你觉得今年会很好,但我想知道你是否能给我们简单介绍一下在这上升的一年，对内存和代工厂方面股票的预期是什么?

A：是的，现在谈这个还为时过早，真的是关于为明年做准备的评论，都是关于内存投资水平的恢复。但是当今天坐在这里看存储方面投资水平的变化以及退出年度竞标的增长率等，我们认为，明年在那里的投资水平需要提高。

Q：您谈到了一些新的胜利，重点是市场份额的增加和SAM的扩张。你今天概述的一些内容，你能不能具体说一些数字，关于2020年收入增长几率有多少?

A：我想也许没有具体数字,但我们的市场份额越来越接近2021年目标,你可以这样想，当我们出来的时候，我们说过我们将在蚀刻中获得4到8个百分点的份额，在沉积中获得4到8个百分点，这是我们到2021年的最后目标。转入半临界是我们在份额上取得进展的关键，这些新的胜利为我们的份额增长贡献率4-8个点，这些只是我们在向这种类型的份额增长取得一些进展的开始。

Q：我想知道你是否可以多谈谈中国本土支出的优势，这些支出在晶圆代工、DRAM、NAND的分配是多少？你对明年中国本土支出的可持续性有什么看法？

A：我们在过去的观点中描述过，今年中国本土企业对WFE的投资为50亿美元，当我们现在看的时候，它比这还要强。优势主要来自存储，我想你知道发生了什么。那里有几家代工厂客户，最大的是中芯国际，他们仍然是我们非常重要的客户。YMTC投资NAND，然后是新兴的DRAM投资。相对于之前的通信，我认为投资支出这主要与内存有关，包括少量NAND和少量DRAM。

Q：他们从这些支出中获得的大部分产出，随着我们的进步，你会看到更多更大的产能，还是会有更多的试点项目？

A：是的，我认为他们会继续在技术上创新。我不会感到惊讶，如果他们能在我们前进的过程中继续在更高的水平上投资，他们会在他们所做的事情上做得越来越好，他们在技术创新上非常非常努力，但是我没有准备好为你量化它。

Q：我还想问一下中国的情况，上个财年的销售额是20%，而非中国的销售额下降了20%。你如何衡量客户的利用率，因为他们的购买量正好在贸易紧张加剧的时候上升。那么，是否存在一种风险，即已经出现了“提前采购”现象并且在以后成为一个问题吗?

A：我不认为有明显的“提前采购”发生,因为我们知道我们的客户今年开始的计划,而他们在大多数情况下执行这些计划。同样重要的是要明白，在中国的很多投资并不是本土的中国客户，韩国、台湾，美国公司都在中国建设晶圆厂。

Q：在毛利率方面，你的目标是45%，并且每个季度都有不同的混合变化。是什么混合变化使得毛利率下行？因为我看收入水平有些回到了2017年3月的水平,但当时毛利率高,代工逻辑混合部分较低。代工、逻辑对毛利率有影响吗?我想你也提到了一个事实，你确实希望在代工逻辑方面继续增长。那么，我们应该如何看待未来几个季度的毛利率走势呢?

A：我不会假设，或者你不应该假设，在市场终端有不同的毛利率，这必然意味着从代工到逻辑到存储，这不是它的影响路径。通常来说,当更大的客户采购量越大，他们更容易获得折扣价格，但并不总是这样,当你看看收入的时候,这可能是一个更大的贡献。同时，你提到了2017年的一个观点。我们一直在关注这些，思考我们的业务有什么不同，你需要考虑的是我们通过17年的巨大的增长周期进行过渡，虽然我们有一个非常灵活的运营模式，但我们必须投入一些基础设施将其到位以满足季度收入30亿美元运行速度。在某种程度上，一些产能没有离线影响了毛利率。随着内存消耗的恢复，当我们的客户使用RAM时，我们有信心在产能方面做出响应，主要得益于灵活的运营模式，包括谈到的临时劳动力。但在某些情况下，成本仍然存在。

Q：你谈到了一些新的新兴技术，如gate all around和DRAM向1z、1a的制程迁移。考虑到它与FinFET相似，由于你们显然从向FinFET的转变中获益，因此当行业做出这种转变时，是否有任何有利的资本密集度的增加?

A：是的，我也这么认为。我想传达的是，在每个节点，我们的客户，设备性能和成本比例是这个行业是否实现了3D缩放的关键答案。对我们来说，3D Scaling意味着蚀刻和沉积强度增加，现在我们高度专注于3纳米技术，但最终的决定取决于未来的结构和架构。由于3d架构确实是由蚀刻和沉积强度来创建的，这就是为什么我指出异质整合中出现的三维结构是先进的封装空间，同样是三维芯片堆叠，Lam的蚀刻和沉积将如何在其中发挥作用。所以我想说的是我相信3D，蚀刻和dep强度在未来的所有设备类型中都很突出。

A：这当然是其中的一部分，事实上，上个季度，我们的reliance业务，也就是我们的翻新设备，达到了创纪录的水平。所以，答案是肯定的。

Q：如果我把报告的终端市场收入和我们认为的各个细分市场的WFE支出进行比较，可以看到你的市场份额在最近几年一直在稳步上升。但对我来说最突出的是NAND，它会变得相当高，只要将可能包括服务的收入除以WFE，会得到大约40%，对比几年前的20%到25%，你认为随着市场向更高的层数过渡，这个数字还会上升吗？这将可持续发展吗?

A：我想正如我们所说的，蚀刻和沉积是3D NAND中持续缩放的关键，所以蚀刻和沉积强度随着层数的增加而增加。所以从这个角度来看，衡量消费者在3D NAND上的总消费份额，我们相信它能够而且将会更高。

Q：我有一个关于潜在的份额增长的问题，我不期望你们确切地知道日本和韩国发生了什么，但是如果看一下销售的蚀刻和沉积工具，你们认为在哪里最有机会从东京电子公司那里获得市场份额?

A：具体来说，这也是为什么我谈论在半临界市场中表现出色的重要性。我们喜欢临界应用程序的原因是它们很难获胜，它们通常需要一两代来证明自身，并不太可能因为一些短期事件而改变。半临界或不那么临界的应用程序更受能否在特定的目标生产力点完成任务的驱动。因此，我们的目标是有能力做很多的应用程序，如果客户有意愿给Lam一个尝试，我们有动力接收并展示我们可以做什么。