SK海力士(SKHY.US)美国首座HBM先进封装基地正式动工 投资逾40亿美元 2029年启动量产

智通财经APP获悉，韩国存储芯片巨头SK海力士(SHKY.US)周四在美国印第安纳州为其先进存储芯片封装工厂举行奠基仪式。这座投资超过40亿美元的工厂将成为SK海力士在美国首个高带宽内存(HBM)先进封装基地，也是美国推动关键半导体供应链本土化的重要项目之一。

随着人工智能基础设施投资持续增长，HBM已成为英伟达(NVDA.US)等公司最先进AI加速系统不可或缺的核心组件。SK海力士计划通过印第安纳项目进一步扩大HBM产能，并加强其在美国AI芯片供应链中的布局。

SK海力士首席执行官Kwak Noh-Jung在奠基仪式上表示，工厂洁净室预计将在2028年10月前投入使用，下一代HBM产品计划于2029年下半年开始大规模生产。全面投产后，该项目将成为SK海力士在美国的重要HBM生产枢纽，预计直接雇用约1000名员工。

该公司表示，其在韩国生产的晶圆未来将运往印第安纳州，在当地完成先进封装和测试后，再供应给美国客户。这意味着该工厂并不直接负责前端晶圆制造，而是承担HBM生产过程中越来越关键的后端先进封装与测试环节。

高带宽内存已经成为当前全球AI硬件投资热潮中最关键的半导体产品之一。

随着AI模型规模不断扩大，GPU和AI加速器需要处理越来越庞大的数据量，传统内存难以满足数据传输速度和带宽需求。HBM通过堆叠多层DRAM芯片，可以显著提高数据传输带宽，因此成为英伟达最先进AI加速系统的重要组成部分。

AI服务器需求激增也推动SK海力士快速成长，目前该公司已经成为韩国市值第二大的企业，仅次于三星电子。三星同样受益于HBM及其他存储芯片需求快速增长。

SK海力士印第安纳项目获得美国《芯片与科学法案》支持。根据相关计划，公司最高可以获得4.58亿美元直接补贴以及最高5亿美元贷款，潜在政府资金支持规模合计达到9.58亿美元。

《芯片与科学法案》于2022年签署成为法律，主要目标之一是降低美国对海外半导体生产的依赖，并推动芯片制造、先进封装和研发能力回流美国。

Kwak表示，这座工厂将帮助强化美国本土AI芯片供应链。SK海力士未来还将继续扩大在美国的投资与合作，希望成为美国发展AI产业的重要合作伙伴。

相比单纯增加芯片制造能力，SK海力士此次投资的另一重要意义在于先进封装。

随着传统制程微缩难度越来越高，通过先进封装将多颗不同芯片整合在一个封装内，甚至进行垂直堆叠，已经成为提高AI芯片性能的重要技术路径。

而先进封装长期以来正是美国半导体供应链相对薄弱的环节之一。

SK海力士选择在美国建设HBM封装基地，意味着从韩国生产晶圆、再运往美国完成封装和测试，将使部分关键AI芯片供应链进一步向美国本土转移。该公司预计，该项目通过建设、运营以及相关上下游产业最终有望创造约7000个直接和间接就业岗位。

公司目前正在评估超过100家潜在的材料、零部件及半导体设备供应商。如果其中部分企业围绕新工厂在当地投资，有望进一步形成更完整的半导体产业集群。

SK海力士还与附近的普渡大学签署合作协议，双方将在HBM、系统集成和先进封装技术等领域展开研发合作。

公司还计划在生产线附近建设一座先进封装研发测试平台，将大规模生产与下一代半导体技术研发结合起来。此外，SK海力士母公司SK集团表示，将为曾在驻韩美军服役的美国退伍军人提供新的就业及职业发展机会。