华金证券:HBM成为AI芯片最强辅助 国产供应链加速配套

2024年全球HBM市场有望超百亿美元,市场空间足,国产供应链加速配套。

智通财经APP获悉,华金证券发布研究报告称,HBM突破“内存墙”,实现高带宽高容量,成为AI芯片最强辅助,该行认为HBM将持续迭代,I/O口数量以及单I/O口速率将逐渐提升,HBM3以及HBM3e逐渐成为AI服务器主流配置,且产品周期相对较长,单颗容量及配置颗数逐步增加,预计HBM4于2026年发布。2024年全球HBM市场有望超百亿美元,市场空间足,国产供应链加速配套。

相关标的:包括封测环节:通富微电(002156.SZ)(先进封装)、长电科技(600584.SH)(先进封装)等;设备环节:拓荆科技(688072.SH)(PECVD+ALD+键合设备)、华海清科(688120.SH)(减薄+CMP)、芯源微(688037.SH)(临时键合与解键合)等;材料环节:华海诚科(688535.SH)(环氧塑封料)、天承科技(688603.SH)(RDL+TSV电镀添加剂)、艾森股份(688720.SH)(先进封装电镀)等。

华金证券观点如下:

HBM加速迭代,市场空间足:

HBM突破“内存墙”,实现高带宽高容量,成为AI芯片最强辅助,该行认为HBM将持续迭代,I/O口数量以及单I/O口速率将逐渐提升,HBM3以及HBM3e逐渐成为AI服务器主流配置,且产品周期相对较长,单颗容量及配置颗数逐步增加,预计HBM4于2026年发布。2024年全球HBM市场有望超百亿美元,市场空间足,国产供应链加速配套。

HBM3海力士率先引入MR-MUF,HBM4剑指混合键合:

当前HBM采用“TSV+Bumping”+TCB键合方式堆叠(TSV一般由晶圆厂完成,封测厂可在堆叠环节进行配套),但随着堆叠层数的增加散热效率很差,TCB不再满足需求,海力士率先引入MR-MUF回归大规模回流焊工艺,芯片之间用液态环氧模塑料作为填充材料,导热率比TC-NCF中的非导电薄膜高很多,但海力士也预计HBM4会引入混合键合Hybrid Bonding方案,取消互连凸块。该行预判当前HBM主流依然是TCB压合,MR-MUF方案为过渡方案,未来混合键合是大趋势。液态塑封料LMC依然是晶圆级封装至关重要的半导体材料之一。

混合键合与TSV是3D封装的核心,HBM“连接”与“堆叠”带来设备材料端发展新机遇:

混合键合分为晶圆对晶圆W2W和芯片对晶圆D2W,3D NAND使用W2W,典型案例为长鑫存储的Xstacking,CMOS层+存储层采用W2W混合键合方案,预计HBM未来亦会采用W2W方案,W2W与D2W方案相比一般应用于良率非常高的晶圆,避免损失。根据该行产业链研究,混合键合将充分带动永久键合设备与减薄+CMP需求,根据BESI官方数据,预计存储领域未来贡献混合键合设备明显增量,保守预计2026年需求量超过200台,减薄+CMP亦成为重要一环。当前HBM方案主要带动固晶机、临时键合与解键合、塑封装备以及TSV所需的PECVD、电镀、CMP等设备;材料端则是TSV电镀液、塑封料等。

风险提示:行业与市场波动风险,国际贸易摩擦风险,新技术、新工艺、新产品无法如期产业化风险,产能扩张进度不及预期风险,行业竞争加剧风险。

智通声明:本内容为作者独立观点,不代表智通财经立场。未经允许不得转载,文中内容仅供参考,不作为实际操作建议,交易风险自担。更多最新最全港美股资讯,请点击下载智通财经App
分享
微信
分享
QQ
分享
微博
收藏