光大证券:存储2024年有望连续四个季度涨价 关注佰维存储(688525.SH)等模组公司

DRAM和NANDFlash在2024年有望连续4个季度涨价。

智通财经APP获悉,光大证券发布研究报告称,2024年针对第一季价格趋势,TrendForce集邦咨询维持先前预测,DRAM合约价季涨幅约13~18%;NANDFlash则是18-23%。DRAM、NAND Flash 在2024Q2 合约价季涨幅皆收敛至3~8%。Q3进入传统旺季,需求端预期来自北美云端服务业者(CSP)的补货动能较强,在预期DRAM 及NAND Flash 产能利用率均尚未恢复至满载的前提下,两者合约价季涨幅有机会同步扩大至8~13%。第四季在供应商能够维持有效的控产策略的前提下,涨势应能延续,预估DRAM 合约价季涨幅约8~13%。

光大证券观点如下:

DRAM和NANDFlash在2024年有望连续4个季度涨价

据TrendForce集邦咨询研究显示,DRAM产品合约价自2021年第四季开始下跌,连跌八季,至2023年第四季起涨。NANDFlash方面,合约价自2022年第三季开始下跌,连跌四季,至2023年第三季起涨。在面对2024年市场需求展望仍保守的前提下,二者价格走势均取决于供应商产能利用率情况。

2024Q1:2024年针对第一季价格趋势,TrendForce集邦咨询维持先前预测,DRAM合约价季涨幅约13~18%;NANDFlash则是18-23%。

2024Q2:虽然目前市场对2024Q2整体需求看法仍属保守,但DRAM与NANDFlash供应商已分别在2023Q4下旬,以及2024Q1调升产能利用率,加上NANDFlash买方也早在2024Q1将陆续完成库存回补。因此,DRAM、NANDFlash在2024Q2合约价季涨幅皆收敛至3~8%。

2024Q3:进入传统旺季,需求端预期来自北美云端服务业者(CSP)的补货动能较强,在预期DRAM及NANDFlash产能利用率均尚未恢复至满载的前提下,两者合约价季涨幅有机会同步扩大至8~13%。其中,DRAM方面,因DDR5及HBM渗透率提升,受惠于平均单价提高,带动DRAM涨幅扩大。

2024Q4:第四季在供应商能够维持有效的控产策略的前提下,涨势应能延续,预估DRAM合约价季涨幅约8~13%:DRAM合约价涨幅扩大的原因是来自DDR5与HBM产品市场渗透率上升,若仅观察单一产品,例如DDR5,仍可能出现季跌,意即2024年度的DRAM合约价上涨并非所有颗粒类别全面上扬,而是产品类别逐渐转移之故。NANDFlash合约价季涨幅则预估0~5%。

投资建议:存储行业拐点已至,2024年有望连续4个季度价格上涨。建议关注:

1)模组:佰维存储(688525.SH)、江波龙(301308.SZ)、德明利(001309.SZ)等;

2、测试机:长川科技(001309.SZ)、精智达(688627.SH);

3)DDR5:澜起科技(688008.SH)、聚辰股份(688123.SH);

4)汽车存储:北京君正(300223.SZ);

5)NORFLASH:兆易创新(603986.SH)、普冉股份(688766.SH)、恒烁股份(688416.SH)、东芯股份(688110.SH)。

风险提示:商业化进展不及预期,技术突破不及预期。

智通声明:本内容为作者独立观点,不代表智通财经立场。未经允许不得转载,文中内容仅供参考,不作为实际操作建议,交易风险自担。更多最新最全港美股资讯,请点击下载智通财经App
分享
微信
分享
QQ
分享
微博
收藏