民德电子(300656.SZ)拟2000万元取得功率半导体设计公司丽隽半导体6.3492%股权

民德电子(300656.SZ)拟使用现金2000万元投资江苏丽隽功率半导体有限公司...

智通财经APP讯,民德电子(300656.SZ)拟使用现金2000万元投资江苏丽隽功率半导体有限公司(简称“丽隽半导体”),并与标的公司及原股东签订投资协议。本次投资款2,000万元,其中500万元用于收购标的公司实控人范捷持有的股权,对应标的公司注册资本出资额43.7619万元;1500万元增资款中,131.2859万元计入标的公司实收资本,剩余增资款1368.7141万元计入标的公司资本公积。投资完成后,民德电子将持有标的公司6.3492%的股权。

公告显示,丽隽半导体成立于2015年1月,主营业务为功率半导体器件的研发、设计与销售,主要产品分为三大类,包括MOSFET、IGBT和FRD,以及模拟IC,产品主要应用于UPS、电动工具、工业控制、储能、光伏逆变器、新能源汽车以及IDC服务器等工业领域。标的公司采用Fabless轻资产模式运营,上游向硅片企业采购外延片,并委托晶圆代工厂进行晶圆加工,下游通过直销或经销方式销售给终端客户或品牌封装厂。基于多年的研发投入和技术积累,标的公司已形成了包括特高压平面MOS、超高压平面MOSFET、中低压普通沟槽栅MOSFET和屏蔽栅深槽MOSFET等产品系列,同时标的公司已开发了超级结MOS、IGBT以及DrMOS(Driver+MOSFET,MOSFET功率开关和放电驱动器的结合体)等先进功率器件产品,在上述功率半导体领域已形成一系列具有自主知识产权的核心技术。

此外,丽隽半导体拥有一家全资子公司无锡摩斯法特电子有限公司(简称“摩斯法特”),摩斯法特主营业务和丽隽半导体一致,两家公司业务根据其开发的主要产品不同而有所区别:丽隽半导体主要产品为特高压平面MOS,摩斯法特主要产品为中低压屏蔽栅深槽(SGT-MOS)、沟槽型MOS。

据悉,本次公司投资功率器件设计公司丽隽半导体的投资举措将为公司功率半导体smart IDM生态圈增加一家优秀的功率半导体设计公司;丽隽半导体将与公司功率半导体生态圈企业在业务和技术上展开合作,充分发挥产业链协同效用,实现共赢。

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