中信建投:存储芯片长期高成长 本土厂商有望崛起

建议重点关注:兆易创新(NOR Flash龙头)(603986.SH)、北京君正(车规存储龙头)(300223.SZ)、东芯股份(SLC NAND龙头)(688110.SH)。

中信建投发布研究报告称,存储为长期高成长赛道,国内需求庞大,国产化需求迫切,大宗市场和利基市场已有优秀厂商涌现,中信建投表示长期看好本土厂商的崛起,上市公司中,建议重点关注:兆易创新(NOR Flash龙头)(603986.SH)、北京君正(车规存储龙头)(300223.SZ)、东芯股份(SLC NAND龙头)(688110.SH)

半导体最大细分,5G、AI、智能车驱动成长。存储芯片为半导体的重要分支,产值占其30%,全球市场规模于波动中保持上升趋势,从2005年的546亿美元增至2020年的1229亿美元,近15年复合增速达5.6%。复盘历史,存储芯片市场出现过多轮新终端或应用驱动的成长周期,如90年代PC的渗透,2000年功能机的渗透及iPod等推出,2010年代智能机的渗透及云计算的爆发,未来存储芯片需求将在5G、AI以及智能车的驱动下步入下一轮成长周期。预计2021年市场规模将同比增长22%,2023年将超过2000亿美元。

短期强周期,长期高成长。受益于服务器、手机、PC等下游需求驱动,存储芯片市场规模快速扩张。中信建投判断,未来数年,服务器、手机、PC仍是存储芯片的核心应用,其中服务器需求增长明显,将成为主要驱动力,而手机和PC的需求增长主要来自存量升级。此外,受益于汽车智能化,汽车存储需求将持续高增,远期市场有望比肩PC。从结构上看,DRAM和NAND为存储芯片的核心品类,两者2020年份额合计达96%,其中DRAM技术迭代以制程演进为主,NAND技术迭代以3D堆叠为主。存储芯片市场格局趋向寡头垄断,因此大厂供给和下游需求的错配导致了存储周期,短时间维度看,存储芯片价格周期性波动,长时间维度看,存储芯片单位容量价格成下降趋势。

中国存储芯片自给不足,本土厂商有望崛起。目前,DRAM市场前三大厂商市占率合计大于95%,格局由三星电子、美光、SK海力士高度垄断,马太效应显著,而NAND相对分散,中信建投判断其格局未来将向DRAM演变。国内存储芯片需求庞大,市场规模在430亿美元以上,超全球的1/3,且增速高于全球平均水平,但自给率不足5%,庞大内需、新兴应用及政策推动助力国产存储芯片快速发展。从下游看,政府、电信、金融等关键领域将成为存储芯片国产化的中坚力量,潜在需求超百亿美元。除长鑫存储和长江存储攻坚大宗市场外,本土厂商多集中在利基市场,目前国产化率已达到一定水平,其中兆易创新、北京君正、东芯股份发展迅速,市场地位不断提高。

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