中银国际:中微公司(688012.SH)推动ICP刻蚀销量增长,维持“买入”评级

智通财经APP获悉,中银国际发布研究报告称,中微公司(688012.SH)推动ICP刻蚀销量增长,组...

智通财经APP获悉,中银国际发布研究报告称,中微公司(688012.SH)推动ICP刻蚀销量增长,组建Epi/LPCVD开发团队。预计公司2021-2023年营业收入达到30.8亿元、43.5亿元、53.9亿元,净利润分别达到4.6亿元、6.6亿元、8.4亿元。维持“买入”评级。

中银国际指出,中微的CCP刻蚀设备本土市占率35%-40%,而ICP刻蚀设备销售已进入放量阶段。中银国际认为,结合中微优秀的技术团队及发展规划、路径,中长期公司有望成为中国的“应用材料”、"LamResearch"。

中银国际主要观点如下:

事件:近期,公司在上证路演中心举办2020年业绩说明会,会上主要内容包括公司CCP刻蚀设备已进入国际一线晶圆代工客户的量产线且有较高的市占率,且2021年ICP刻蚀设备在线运行机台同比增长100%,标志着公司刻蚀工艺获得重大进展。同时,公司继续“三维发展”战略的平台外延,在泛半导体和新兴领域中积极挖掘新增长点。

支撑评级的要点

半导体器件结构立体化、投资密度提升等增加刻蚀设备需求。尽管在7nm以下的制程中EUV替代多重曝光减少刻蚀步骤是大势所趋,但同时因刻蚀技术难度增加而使得设备需求量不减反增。逻辑器件的微观尺寸从28nm向5nm进步时,所需刻蚀步骤数显著增长近3倍;存储器件为突破物理极限增大容量而向3D结构堆叠时,刻蚀设备的投资占比也从2DNAND的20%提升至3DNAND的50%。据应用材料业绩说明会数据显示,目前半导体投资密度从过去的12%提高至14%,且这一比例将保持较长时间。

中微的CCP刻蚀设备本土市占率35%-40%,而ICP刻蚀设备销售已进入放量阶段。公司的CCP刻蚀设备已可覆盖70%左右的CCP刻蚀工艺,应用范围可覆盖前道制程的65nm-5nm的微观器件,在国内领先3DNand厂64层产线上市占率34%,128层产线市占率35%,在国内28nm晶圆厂的市占率为39%。公司ICPNanova的在线设备2020年达到55个反应腔,工艺应用达到70个,主要用在Logic客户、3DNand客户,中微半导体今年正式发布了新一代ICP刻蚀设备Primo Twin-Star,用于IC器件前道和后道制程导电/电介质膜的刻蚀应用。

布局Epi、LPCVD、量测、CMP等多种制程设备,扩大目标市场规模。在立足ICP、CCP刻蚀这一优势领域的基础上,重点向薄膜沉积、量测设备等集成电路工艺设备外延。在薄膜沉积领域,公司参股的沈阳拓荆在长江存储、华虹无锡项目等主流12寸产线上获得重复PECVD订单;公司已组建Epi设备开发团队,主要聚焦Foundry/Logic Device,主要应用于Si、Si/Ge的Epi工艺;已组建LPCVD开发团队,聚焦Memory Device,主要应用于W、WN、TiN等沉积工艺。

评级面临的主要风险

技术迭代被反超的风险;下游客户扩产不及预期的风险;行业景气周期性风险;国际贸易争端加剧的风险。

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